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應(yīng)用基礎(chǔ)研發(fā)型 HoF CVD:HAC-102

應(yīng)用基礎(chǔ)研發(fā)型 HoF CVD:HAC-102

  • 分類:產(chǎn)品中心
  • 作者:
  • 來(lái)源:
  • 發(fā)布時(shí)間:2022-07-19
  • 訪問(wèn)量:0

【概要描述】

應(yīng)用基礎(chǔ)研發(fā)型 HoF CVD:HAC-102

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詳情

該款產(chǎn)品,基于熱絲CVD法(Hot Filament Chemical Vapor Deposition,簡(jiǎn)稱HoF CVD)鍍膜,適用于高校、科研機(jī)構(gòu)使用,或企業(yè)研發(fā)部門(mén)進(jìn)行原理性驗(yàn)證和技術(shù)開(kāi)發(fā)。熱絲CVD法與PECVD法在功能上具有相通性,例如硅基薄膜鍍膜、氮化硅鍍膜、氟系有機(jī)材料鍍膜等,可以相互替代。但因?yàn)殄兡さ脑聿煌?,又具有不同的特點(diǎn)。簡(jiǎn)要總結(jié)如下表所示:

  PECVD HoFCVD
鍍膜質(zhì)量 高,有等離子體損傷 更高,無(wú)等離子體損傷
鍍膜速度 較慢(非晶硅慢,微晶硅更加慢) 較快(相比于 PECVD,非晶硅快,微晶硅更快)
設(shè)備造價(jià) 高(射頻電源、碳基載板,勻氣結(jié)構(gòu)復(fù)雜) 低(直流電源、金屬載板、勻氣結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單)
運(yùn)營(yíng)成本 一般 較低
顆粒污染 鍍膜氣壓幾十-幾百 Pa,易形成粉塵;需每天 NF3 等離子清洗 鍍膜氣壓幾 Pa,不易形成粉塵;可忽略該問(wèn)題。
載板要求 一般碳基(石墨為主),載板是PE 放電的電極之一,參與放電,所以對(duì)其導(dǎo)電性等要求很高。 一般金屬載板。載板不參與氣體分子的裂解反應(yīng),導(dǎo)電性無(wú)要求。
繞鍍問(wèn)題

原理性問(wèn)題,需要載板、硅片的平整度和貼合程度要求很高才能避免。

可忽略。對(duì)載板、硅片的平整度、貼合程度要求低。
生產(chǎn)裝備結(jié)構(gòu) 臥式:載板、硅片水平放置,自動(dòng)化易于實(shí)現(xiàn);粉塵顆粒易于粘附與硅片表面 立式:載板、硅片垂直放置,自動(dòng)化難度高;粉塵不易與粘在硅片表面。
鍍膜均勻性 小面積高;但面積增大難度極高(因?yàn)榈入x子體的控制難度高,有駐波效應(yīng))。 小面積低;但面積增大容易(因?yàn)闊峤z周期性排布)
設(shè)備普及程度 高。裝備、工藝技術(shù)人員充足豐富。 低。裝備、工藝人員少。

 

1


我們針對(duì)基礎(chǔ)研發(fā)和小面積器件制造開(kāi)發(fā)的HAC102型HoFCVD設(shè)備,基本情況如下:
?  可以進(jìn)行P、I、N型非晶硅/微晶硅/摻氧微晶硅膜的制備、也可進(jìn)行氮化硅、摻氧硅薄膜或其它類型膜層的制備(可根據(jù)用戶需求定制氣路);
?  有效鍍膜面積≥210mm*210mm(可根據(jù)用戶需求定制)。
?  低價(jià)供應(yīng)優(yōu)質(zhì)熱絲
?  腔體個(gè)數(shù)和各腔體功能可按照客戶要求定制;可實(shí)現(xiàn)全過(guò)程工藝菜單編輯和自動(dòng)運(yùn)行,也可手動(dòng)模式。
?  可以提供鈍化后少子壽命5000us以上的baseline工藝(用于異質(zhì)結(jié)電池,對(duì)應(yīng)電池效率≥24.7%)
?  設(shè)備的構(gòu)造、腔體的配置等可根據(jù)客戶的要求進(jìn)行定制化設(shè)計(jì)。
詳細(xì)資料請(qǐng)聯(lián)系本公司取得。歡迎各方朋友蒞臨指導(dǎo),交流洽談合作。
 

聯(lián)系方式:
黃先生
電話:13576906107;郵箱:hbhuang@hactech.cn。
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